制造ttv是指什么意思制造lot

这个指标公式能改为选股公式吗通达信的

V1:="CCI";

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V2:="KDJ.K";

V3:="MACD.DIF";

V4:="MTM";

V5:="RSI";

V6:="BIAS.BIAS2";

V7:="ACCER";

V8:="CYF";

V9:=3SMA((C-LLV(L,27))/(HHV(H,27)-LLV(L,27))100,5,1)-2SMA(SMA((C-LLV(L,27))/

(HHV(H,27)-LLV(L,27))100,5,1),3,1);

V10:="WR";

线:=IF(V1>SMA(V1,5,3),1,0)+IF(V2>SMA(V2,5,3),1,0)+IF(V3>SMA(V3,5,3),1,0)+IF(V4>SMA(V4,5,3),1,0)

+IF(V5>SMA(V5,5,3),1,0)+IF(V6>SMA(V6,5,3),1,0)+IF(V7>SMA(V7,5,3),1,0)+IF(V8>SMA(V8,5,3),1,0)+

IF(V9>SMA(V9,5,3),1,0)+IF(V10

红:=线-(10-线);

{主导动能}

TTV:=(2C+O+H+L);

动能:=TTV/EMA(TTV,4)-1;

FF:=动能100;

能增:=(FF-REF(FF,1))10;

红升:=红-REF(红,1);

停:=DYNAINFO(17)>0;

黄线:=EMA(线,60)10-50;

短进:((红升>=12 AND 能增>=30) OR (红升>=16 AND 能增>=20)) AND CROSS(黄线,SMA(黄线,5,4)) AND

(XLPL.NOTEXT吸 OR XLPL.NOTEXT拉) AND C<38 AND 停;

TTV是什么

TTV是硅单晶片在厚度测量值中的厚度与最小厚度的值，用户称作硅片的总厚度变化。这个值是衡量硅单晶片优劣的一个重要标准。硅单晶片的薄厚片存在会影响硅片合格率及生产工艺，因此这对硅单晶片品质提出了更加严格的要求。

扩展资料：

硅片厚度产生偏的原理

硅片的切割过程是在导轮上完成的，钢线在导轮上缠绕形成相互平行的均匀线网，并以10-15m/s的速度运动，砂浆经浆料嘴均匀地流到线网，砂浆中的碳化硅由于悬浮液的悬浮作用裹覆在钢线上，对硅块进行切割。

但是随着切割的进行，钢线和碳化硅都会出现不同程度地磨损，钢线的椭圆度增大，携砂能力下降，同时碳化硅的圆度变大，平均粒径减小，切割能力也有所降低，因此，通常在平行工作台运动的方向，硅片入刀点厚度小于出刀点厚度。

而和硅块运动方向垂直的方向上，硅片入线侧厚度小于出线侧厚度。硅片厚度有一定的偏范围，对于180μm厚度的硅片，其偏范围为±20μm，超过此范围则成为不良品--薄厚片。从根本上讲，薄厚片的产生都是由于各种问题导致线网抖动而造成的。

参考资料来源：

TTV:硅片厚度变化量。一般来讲，硅片厚度对硅片本身的品质没有什么影响。硅片中真正起作用的只是硅片表面薄薄的一层，其余的都是起支撑作用。TTV当然越小越好。TTV是衡量硅片品质的一个很重要的指标

过程控制，钢线的检查，圆度是否超标，导轮使用寿命是否到了，工装夹具是否有问题等等

total thinkness varation 总厚度变化

关于晶体制造方面的一些简写

Wafer thickness 硅片厚度

TTV (总厚度偏) 就是硅片处与最薄处之间的值，反应硅片的厚度均匀性

TIR (total internal re-flection) 全内反射

TIR95 效率95%吧

FPD 焦平面偏离（FPD）是指硅片上距焦平面处和最深处到焦平面的距离中远的一个 warp 翘曲度，硅片中面与参考面之间的距离和最小距离之

sori 索瑞不知道是指的硅片表面的什么

Bow 弯曲度

SagX X方向的凹陷？不懂

内部收益率（IRR）指的是什么

内部收益率（Internal Rate of Return (IRR)），就是资金流入现值总额与资金流出现值总额相等、净现值等于零时的折现率。如果不使用电子计算机，内部收益率要用若干个折现率进行试算，直至找到净现值等于零或接近于零的那个折现率。内部收益率，是一项投资渴望达到的报酬率，是能使投资项目净现值等于零时的折现率。

内部收益率的计算公式是：∑（CI-Co）tX（1+FIRR）-t=0（t=1-n）。财务内部收益率的计算过程是解一元n次方程的过程，只有常规流量才能保证方程式有解。内部收益率的计算公式是：∑（CI-Co）tX（1+FIRR）-t=0（t=1-n）。财务内部收益率的计算过程是解一元n次方程的过程，只有常规流量才能保证方程式有解。【摘要】

内部收益率IRR的具体计算公式是什么？【提问】